Numéro de produit du fabricant:
TSM070NA04LCR RLG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM070NA04LCR RLG-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
Description détaillée:
N-Channel 40 V 91A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventaire:
12899663
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SOUMETTRE
TSM070NA04LCR RLG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
91A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1469 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
113W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (5.2x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerLDFN
Numéro de produit de base
TSM070
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM070NA04LCR RLGDKR
TSM070NA04LCR RLGCT
TSM070NA04LCR RLGCT-DG
TSM070NA04LCR RLGTR
TSM070NA04LCR RLGTR-DG
TSM070NA04LCRRLGDKR
TSM070NA04LCRRLGTR
TSM070NA04LCRRLGCT
TSM070NA04LCR RLGDKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
11486
NUMÉRO DE PIÈCE
IPZ40N04S5L7R4ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
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